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NTMFS4925NE
TYPICAL CHARACTERISTICS
1600
1400
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
11
10
9
QT
1200
1000
8
7
800
600
C oss
6
5
4
Qgs
Qgd
T J = 25 ° C
400
200
0
0
5
C rss
10
15
20
25
30
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 30 A
18 20
22
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
100
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
t r
25
20
15
10
t d(on)
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
0 V < V GS < 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
40
36
32
28
24
20
16
I D = 26 A
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
12
8
4
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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